주성엔지니어링, 삼성전자와 차세대 소자용 신물질 증착장치 공동개발 협약 체결

반도체 제조용 화학증착(CVD)장비업체인 주성엔지니어링(대표 황철주 http://www.jseng.com)은 삼성전자와 기가(Giga) D램급 이상 소자 제조과정에서 금속 확산 방지막과 금속 전극용으로 채택이 유력시되는 타이실리사이드(TiSi(N)) 및 탄탈룸나이트라이드(TaN)용 증착장치를 공동 개발하기로 합의했다고 18일 밝혔다.

이번에 개발할 증착장치는 기존 화학증착 방식과 달리 극박막의 원자층을 조절하는 신개념의 증착방법을 채택, 막의 치밀성과 이상적인 조성비를 얻을 수 있는 장점을 갖추고 있다. 아울러 신물질의 증착뿐만 아니라 기존 물질에 대해서도 그 특성을 한층 더 개선할 수 있다.

이번 증착장치가 개발될 경우 0.13미크론급 이하의 로직 소자에 구리배선을 적극 채택해 구리배선 기술의 양산화를 앞당길 것으로 예상되고 있다.

회사 관계자는 『TaN 막의 경우 지금까지 어느 업체도 증착에 성공하지 못하고 있어 공동개발이 성공하면 메모리와 로직 분야에서 차별화된 시장지배력을 유지할 수 있을 것으로 전망된다』고 말했다.

<온기홍기자 khohn@etnews.co.kr>