주성엔지니어링, 반도체 웨이퍼 세정 및 저온산화막 형성기술 특허 획득

주성엔지니어링(대표 황철주 http://www.jseng.com)은 20억원의 연구비를 투입해 개발한 반도체 웨이퍼 세정 및 산화막 형성기술에 대해 특허를 획득했다고 21일 밝혔다.

특허내용은 화학증착 반응 체임버(chamber)에 수소함유 기체를 채우고 진공상태를 유지하면서 고주파(RF power)를 인가해 수소플라즈마를 발생시킨 다음, 플라즈마 상태로 여기된 수소이온을 이용해 웨이퍼 표면의 불필요한 자연산화막이나 불순물 입자를 제거하는 기술과 저온상태에서 산화막을 형성하는 기술 등 두가지다.

이 회사는 이를 계기로 기존 자사의 화학증착시스템에 프리 클리닝 체임버(pre-cleaning chamber)를 부착, 장비의 부가가치를 높일 수 있는 클러스터(cluster) CVD장치사업에 나설 계획이다.

이 회사측은 『이번 특허기술은 열 이력(heat budget)에 민감한 차세대 반도체 소자의 게이트(gate)·커패시터(capacitor) 절면막 형성과 세정공정에 응용될 수 있어 수요가 클 것으로 예상된다』고 말했다.

<온기홍기자 khohn@etnews.co.kr>