나리지온, 질화갈륨반도체 제조공정 기술 특허 취득

화합물반도체 전문업체인 나리지온(대표 조장연)은 최근 역방향 유기금속반응 가스를 이용해 질화갈륨(GaN) 박막을 대량 성장시킬 수 있는 유기금속화학적증기증착(MOCVD)장치와 플라즈마를 이용한 질화갈륨 반도체 P형 전극부 활성화 기술에 관한 특허를 취득했다고 21일 밝혔다.

질화갈륨 반도체는 조명기기 대체용으로 세계적인 관심을 모으고 있는 백색 가시광 반도체와 풀컬러 디스플레이를 위한 청색 가시광 반도체의 재료가 되는 차세대 고부가가치 화합물반도체로 나리지온이 이번에 획득한 특허는 이 제품들의 개발과 양산에 필요한 응용 핵심장치 및 기술이다.

또 플라즈마를 이용한 P형 질화갈륨 활성화 기술은 MOCVD장치를 이용해 불순물이 첨가된 P형 박막을 질소나 아르곤 플라즈마를 이용해 저저항과 고정공 농도의 P형 질화갈륨 박막을 얻는 활성화 기술이라고 나리지온측은 설명했다.

<김성욱기자 swkim@etnews.co.kr>