삼성전자, IMT2000용 16M S램 첫 개발

삼성전자(대표 윤종용 http://www.sec.co.kr)가 저전압 16MS램을 개발하고 고급형 휴대폰과 IMT2000용 단말기 시장 선점에 나선다고 25일 밝혔다.

이 회사가 개발한 제품은 기존 휴대단말기의 3V 전압뿐만 아니라 IMT2000 등 차세대 통신기기에서 필요로 하는 1.8V의 낮은 전압에서도 작동해 동영상 전송 등에 필요한 전력소모를 극소화했다.

이 제품은 또 기존 제품보다 2배 이상 빠른 32비트 데이터 라인을 지원, 인터넷 및 동영상 통신데이터를 고속처리하는 IMT2000용 단말기에 적합하다.

삼성전자는 새로운 칩패키징 기법인 TBGA(Tape Ball Grid Array) 패키지를 적용, 칩 크기를 기존 제품의 4분의 1로 줄였으며 S램 제품과 플래시메모리를 하나의 패키지로 묶을 수 있어 단말기 크기를 획기적으로 줄일 수 있다고 설명했다.

삼성전자는 다음달부터 샘플제품을 출시하고 내년 2분기부터 본격 양산에 들어가 고급 휴대폰 및 IMT2000용 단말기 시장을 선점할 계획이다.

삼성전자는 지난해 S램 부문에서 9억6600만달러의 매출을 올려 5년 연속 세계 1위를 지켰으며 이번에 신제품 개발로 S램 시장의 주도권을 더욱 확고히 할 수 있을 것으로 기대했다.

S램 반도체시장은 2002년께 65억달러 규모에 이르고 저전압용 S램 메모리의 시장점유율은 내년께 34%에서 2003년께 48%로 높아질 전망이다.

S램 반도체는 전원을 켜놓았을 때 데이터를 보존하는 특성으로 전력소모가 적은 데다 데이터 처리속도가 빨라 주로 휴대단말기용으로 쓰인다. 특히 S램은 최근 휴대폰 시장의 수요 폭증으로 공급 부족 현상이 발생, 가격이 치솟고 있으며 D램에 비해 가격변동이 적어 메모리반도체업체들은 안정적인 수익을 확보할 수 있다.

<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>