삼성전자, 최소 회로선폭 512M D램 개발

삼성전자(대표 윤종용 http://www.sec.co.kr)는 반도체 상용 제품으로는 최소 회로선폭인 0.12㎛(1미크론은 100만분의 1m)의 공정 기술을 적용한 512M D램을 세계 최초로 개발했다고 20일 발표했다. 관련기사 28면

황창규 삼성전자 메모리 사업부문 대표는 이날 태평로클럽에서 기자간담회를 갖고 『이번 초미세 512M 반도체의 개발로 대용량 메모리 및 0.10미크론의 차세대 공정 시대에 적극 대응하는 한편 이 신기술을 기존 제품에 적용해 강력한 원가경쟁력으로 메모리 반도체 시장의 주도권을 확고히 할 수 있게 됐다』고 밝혔다.

0.12㎛기술은 머리카락 한올에 900개의 가는 선을 그을 수 있는 초미세 가공기술로 삼성전자는 경쟁사들에 앞서 이 기술을 개발함으로써 차세대 공정기술의 상용화에서 우위를 점할 수 있게 됐다.

이 기술을 적용한 512M D램은 기존 양산 제품중 최대 용량인 256M SD램에 비해 정보저장 능력은 2배이며 데이터 처리는 266㎒의 최고속도를 구현한다. 또 기존의 싱크로너스 규격과 새로운 DDR규격을 모두 지원하는 원칩 기술을 적용해 시장 변화에 탄력적으로 대응할 수 있으며 기존의 256M 제품과 동일한 크기의 패키지를 채택, 256M 이하의 기존 제품을 탑재한 시스템의 메모리를 손쉽게 상향조정할 수 있다.

삼성전자는 512M D램을 올 하반기부터 대형 서버업체에 샘플 공급하고 내년말께 본격 양산에 돌입할 예정이다.

양산 라인은 아직 결정되지 않았으나 삼성전자가 올 하반기 완공할 화성 제2공장의 10라인 또는 11라인에서 생산할 게 확실시된다.

삼성전자는 512M D램 36개를 하나의 모듈로 만들면 2기가급 메모리를 구현하고 기존 시스템에 간단히 적용할 수 있어 기가급 메모리를 필요로 하는 고성능 PC와 서버, 워크스테이션 시장을 선점할 것으로 기대했다.

512M D램은 초기 시장에서 개당 500달러 가량의 높은 가격 수준을 형성하는 고부가가치 제품이며 2004년께 411억달러 규모의 시장을 형성해 메모리 반도체 시장을 주도할 것으로 관측된다.

<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>