애셔(Asher) 생산업체인 피에스케이테크(대표 박경수 http://www.psktech.com)는 이번에 1G D램 등 고밀도, 고집적 반도체 제조에 사용가능한 마이크로파애셔장비(모델명 DAS-Ⅲ)를 선보인다.
이 장비는 반도체 리소그래피 공정에서 웨이퍼에 도포된 포토레지스트를 제거하는 데 사용하는 것으로 웨이퍼를 낱장 처리하는 매엽방식(Single Type)을 채택함으로써 애싱과정의 충격으로 인한 소자의 손상을 최소화한 것이 특징이다.
2개의 반응체임버(Reaction Chamber)를 통해 시간당 100장의 웨이퍼를 처리할 수 있는 이 장비는 200㎜ 웨이퍼를 기준으로 10개 이하의 낮은 파티클 발생률과 분당 4.5마이크로(μ) 이상의 높은 애싱률을 구현한다.
이 장비는 또 한글 소프트웨어를 채택, 운영이 간편한 고성능 애싱시스템이며 특히 애셔에서 고농도 이온 주입 후에 문제로 지적되던 레지스트(Resister) 제거와 체인지업(Change Up) 손상 등을 개선한 것이 장점이다.
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