마쓰시타 전자공업, 새 동작방식 Fe램 기술 개발

　일본 마쓰시타전자공업이 차세대 시스템 온 칩용으로 새로운 동작방식의 강유전체메모리(Fe램)기술을 개발했다.

　「일경산업신문」에 따르면 새 기술은 기록되는 데이터의 종류에 따라 Fe램의 동작 전압을 조정한다는 점이 가장 큰 특징으로 이 기술을 사용하면 기존 Fe램과 비교해 소비전력을 5분의 1, 칩 면적을 절반 정도 줄일 수 있다.

　Fe램은 전원을 끊어도 기록데이터가 없어지지 않는 불휘발성과 데이터입력의 고속성을 갖고 있는 차세대형 메모리로 이번 마쓰시타의 신기술은 Fe램이 불휘발성 메모리임에도 불구하고 낮은 전압에서 사용할 경우에는 휘발성 메모리처럼 동작하는 특이한 성질을 가지고 있다는 점을 이용한 것이다.

　새 기술은 전원을 끊었을 때 사라져도 상관없는 데이터는 저전압으로 입력하고 없어져서는 안될 데이터는 높은 전압으로 입력하는 등 기록하는 데이터의 성격에 따라 Fe램 동작전압을 조정한다. 즉 마쓰시타는 데이터가 휘발성인지 불휘발성인지에 따라 모드를 분할해 동작하는 방식을 개발한 것으로 이 과정에서 메모리작동 소비전력을 대폭 절감했다.

　또 새 기술은 1개 Fe램의 메모리 셀에 휘발성 메모리와 불휘발성 메모리의 동작을 병용한다. 즉 각각 1비트씩, 합계 2비트를 한 개 메모리 셀에 기록할 수 있도록 했는데 이는 휘발성 데이터의 입출력중에도 불휘발성 데이터는 변하지 않는 Fe램의 특성을 살린 것이다.

<심규호기자 khsim@etnews.co.kr>