아남, 0.18㎛ 초미세 공정기술 상용화

　아남반도체(대표 황인길)가 현재 비메모리 반도체 분야에서 세계적으로 가장 앞선 미세 공정기술인 회로선폭 0.18㎛(1미크론:1백만분의 1m)급 공정 양산 기술 개발에 성공했다.

　아남반도체는 미국 텍사스인스트루먼츠(TI)사와 공동으로 0.18㎛급 상보성금속산화막(CMOS) 로직 반도체 공정기술 양산화에 성공, 오는 3월부터 월 웨이퍼 3천장 규모의 생산라인을 가동한다고 14일 밝혔다.

　세계 반도체업체는 물론이고 반도체 파운드리업체 중 0.18㎛급 초미세 반도체 공정을 비메모리 반도체 양산용으로 가동하는 것은 아남반도체가 사실상 처음인 것으로 알려졌다.

　비메모리 반도체 공정은 현재 0.35㎛과 0.25㎛ 공정이 주종을 이루고 있으며 0.18㎛ 공정 기술은 메모리 반도체의 1GD램급 공정기술 수준으로 평가되며 대부분 업체들이 올해 말 양산화를 목표로 기술 개발이 진행중이다.

　특히 세계 최대의 반도체 파운드리업체인 대만의 TSMC도 아직 상업생산용 0.18㎛ 공정 기술 개발이 끝나지 않은 것으로 알려져 이번 아남의 0.18㎛ 공정 기술 개발로 현재 대만이 주도하고 있는 세계 웨이퍼 파운드리 산업 구도에 적지 않은 변화가 예상된다.

　시설투자와 기술 개발투자를 포함해 총 2백30억여원이 투자된 이 기술은 차세대 고성능 디지털신호처리칩(DSP)을 비롯해 마이크로프로세서(CPU), 하드디스크드라이브 컨트롤러 등 고부가가치 비메모리 반도체 제조에 사용하는 첨단 공정기술이다.

<최승철기자 scchoi@etnews.co.kr>