삼성전자의 전력 반도체 소자 제품이 특허 침해혐의로 피소돼 미국시장에서 잇따라 판매금지 조치를 당했다.
삼성전자 및 관련업계에 따르면 미국 로스앤젤레스 연방 지방법원은 미국의 반도체업체인 인터내셔널 렉티파이어(IR)사가 삼성전자를 상대로 제기한 전력 반도체 소자의 일종인 MOSFET 제품에 대한 특허 침해 가처분 소송에서 삼성전자와 미국 현지법인인 삼성반도체(SSI)에 수입 및 마케팅, 판매를 금지하는 예비 판결을 내렸다.
이에 앞서 삼성전자는 지난 6월 다른 종류의 전력 반도체 소자인 IGBT제품 1개 모델에 대해 미국내 판매금지 처분을 받았다.
그러나 삼성전자는 지난 21일 미국의 페어차일드사에 전력 반도체 부문을 매각, 실질적인 피해는 전혀 없을 것으로 보인다.
<최승철기자 scchoi@etnews.co.kr>
많이 본 뉴스
-
1
LG전자, 가전용 칩 '100만개' 돌파…반도체로 가전 영토 넓힌다
-
2
삼성 파운드리, DUV 쓰는 8나노 공정 '8LPU' 2세대 내놓는다
-
3
아이오닉9, 2200만원 싸게 산다
-
4
저궤도통신위성 뜨는데 韓, 주파수 등록 2건...ITU 등록 서둘러야
-
5
일론 머스크, 테슬라·스페이스X 합병 검토 공식화…3.5조 달러 '공룡' 탄생하나
-
6
코스피, 3%대 급락 5500선 마감
-
7
KLA 독점 웨이퍼 계측 시장 균열… '삼성 투자' 우프틱스 한국 진출
-
8
“11만원짜리 밥 먹고 축의금 10만원 냈냐”…따지는 친구한테 1만원 보내주고 절교
-
9
“2030년까지 데이터센터 전력 수요 170%↑…AI 성장 최대 병목”
-
10
PC, 메모리 대란 한숨 돌렸다…내년 'AI B2B' 승부수
브랜드 뉴스룸
×











