마쓰시타-美 벤처기업, 플래시메모리 고속화 새 동작원리 개발

　일본의 마쓰시타전자공업과 미국 벤처기업인 헤이로LSI사가 공동으로 플래시메모리 고속화를 위한 새로운 동작원리를 개발했다.

　「일경산업신문」에 따르면 두 회사는 현재 널리 활용되고 있는 터널효과를 응용한 제품보다 입력속도가 최고 50배 이상 빠르고 소비전력도 절반 이상 낮은 새로운 원리의 플래시메모리 기본구조 칩을 시험 제작하는 데 성공했다.

　한편 마쓰시타는 내년 말 제품화를 목표로 실용화 연구를 계속하는 한편 각종 첨단 LSI에의 응용을 적극 검토하고 있다.

<심규호기자 khsim@etnews.co.kr>