현대전자, 0.25㎛ 비메모리 제조기술 독자 개발

　현대전자(대표 김영환)는 양산공정에 바로 적용할 수 있는 0.25㎛(1미크론:1백만분의 1m)급 미세회로 비메모리 반도체 제조기술을 독자 개발했다고 2일 밝혔다.

　이번에 개발한 0.25㎛ 비메모리 공정기술은 향후 통신 및 멀티미디어 분야에서 요구되는 초고속·저소비 전력 제품은 물론 비메모리와 메모리를 한 개의 반도체 칩에 집적하는 복합칩 등을 제조할 수 있는 첨단기술로, 메모리 제조기술과 비교하면 1기가D램급 이상의 기술수준으로 평가된다.

　현대전자는 오는 99년부터 자체 개발한 비메모리 반도체 제품, 주문형 반도체(ASIC) 및 파운드리 사업분야에 이 기술을 적용할 계획이다.

　현대전자는 이번에 개발한 기술이 현재 주류를 이루고 있는 0.35㎛ 비메모리 제조기술에 비해 집적도가 2배 이상 높아 칩 크기를 종전 제품의 절반 이하로 설계할 수 있으며 소비전력을 70% 미만으로 줄일 수 있다고 설명했다.

　현대전자의 0.25㎛ 비메모리 제조기술은 전기적 유효채널길이(Effective Channel Length)가 0.18㎛ 이하, 게이트 산화막 두께 5㎚(1나노미터=10억분의 1m), 동작전압 2.5V/3.3V, 최소 회로선폭 0.25㎛급의 5층 금속선 배선기술 등의 단위공정을 채택하고 있다.

<최승철기자 scchoi@etnews.co.kr>