삼성전자, 차세대 비메모리 반도체 공정기술 개발

　삼성전자(대표 윤종용)가 차세대 웨이퍼 가공기술인 FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator:완전 공핍형 SOI 웨이퍼)를 이용한 첨단 공정기술을 독자 개발, 알파 프로세서 등 비메모리 반도체 제조공정에 적용한다고 12일 밝혔다.

　이 기술은 반도체를 만드는 재료인 실리콘 웨이퍼에 산화막을 입혀 전자의 누설을 막고 칩의 집적도를 높이는 기술로 회로선폭 0.25미크론 이하의 초미세 가공에 쓰일 것으로 예상되는 차세대 기술이다.

　특히 삼성전자가 개발한 FD-SOI 적용 공정기술은 최근 미국의 IBM이 개발해 비메모리 반도체 공정에 적용하고 있는 부분 공핍형 SOI(PD-SOI) 기술이 복잡한 회로설계와 공정 적용시 상당부분 설계를 수정해야 하는 단점을 대폭 개선한 것이 특징이다.

　삼성전자는 이 기술을 우선 고속 처리가 필요한 알파 프로세서 공정에 적용하는 한편 1㎓이상의 차세대 비메모리 제품 생산에 활용할 방침이다.

　또한 삼성전자는 99년 개발 예정인 구리칩 반도체 기술과 접목시켜 회로선폭 0.18미크론 공정에도 적용하고 저전력 기술을 요하는 주문형 반도체(ASIC)·디지털신호처리칩(DSP)·S램 등으로 적용 범위를 넓혀갈 계획이다.

　삼성전자는 이번 기술 개발 과정에서 미세사진 식각기술, 소자분리기술, 4㎚(1㎚는 10억분의 1m) 두께의 게이트 산화막 기술, 저저항 트랜지스터 기술, 4층 이상의 배선기술, 저유전 박막기술 등도 새롭게 개발했다고 설명했다.

〈최승철 기자〉