美TI, 화합물 반도체 대체 기술 발표

미 TI가 통상 실리콘 반도체의 처리속도 한계로 알려진 2GHz의 벽을 깬 새로운 고속 상보성금속산화막(CMOS)기술을 발표, 그동안 고속 데이터 처리영역을 담당해온 화합물 반도체 시장에 적지않은 타격이 예상된다.

TI는 최근 0.25 미크론 CMOS공정을 적용해 최고 초당 2.5기가비트의 데이터를 처리할 수 있는 고속 CMOS기술을 발표했다. TI측은 이 기술에 적정한 다이축소 작업과 데이터 복원기술이 추가될 경우 비화갈륨(GaAs)반도체와 고속 바이폴라 제품을 상당부분 대체할 수 있을 것으로 밝혔다.

TI는 이 기술을 적용, 어드밴스트 IEEE 1394.b 인터페이스나 기가비트 이더넷 백본용 IC 등고속 데이터 처리가 요구되는 제품에 적용할 예정이다. TI는 올해 말 8백Mb/s의 IEEE 1394.b제품을 출시하고 1. 6Gb/s 제품도 연이어 선보일 계획이며 최고 2.5Gb/s의 속도를 처리하는 기가비트 이더넷용 칩도 선보인다는 방침이다.

업계 전문가들은 『그동안 PCS, 핸드폰 등 무선단말기 제품의 저잡음증폭기(LNA), 트랜시버, 리시버 등의 영역에는 고주파처리가 요구돼 고가에도 불구하고 비화갈륨 반도체가 주로 사용됐다』라며 『TI의 이번 기술발표로 가장 안정적이고 저렴한 CMOS기술이 향후 화합물반도체나 고속바이폴라 제품 영역까지 진출할 수 있는 기반이 마련됐다』고 설명했다.

<유형준 기자>