반도체 미세화 2010년 전후 한계 도달

반도체 회로선폭의 미세화는 오는 2천10년을 전후해 한계에 도달하고 현재의 5분의 1 수준까지 진행될 것으로 예측됐다.

「일본경제신문」은 미국과 일본의 대표적인 20개 반도체업체 기술자들을 대상으로 향후 반도체 기술 전망을 묻는 「일미반도체기술자조사」를 실시한 결과, 현재 기술을 그대로 적용할 경우의 미세화 한계는 0.05미크론 정도이고, 한계에 도달하는 시기는 2천10년께가 될 전망이며 이를 극복하기 위해서는 양자효과를 사용한 단전자 소자 등 새로운 원리의 채용이 필요하다고 보도했다.

이 신문의 이번 조사는 4월 중순 전자메일을 통해 실용화 레벨의 미세화 한계 시기와 선폭 등을 선택형 질문으로 실시한 것으로, 16개사(일본 10개사 미국 6개사) 69명으로부터 회답을 얻었다.

시기와 관련해서는 전체 69명 가운데 26명이 「2천11-2천15년」이라고 답했고 「2천6년-2천10년」이 17명, 「2천16년-2천20년」이 15명 순이었다.

또 선폭은 현재 첨단 LSI(대규모집적회로)의 5분의 1에 해당하는 「0.05미크론 이하」를 선택한 응답자가 19명으로 가장 많았으며, 「0.05미크론」이 14명, 「0.12-0.1미크론」이 11명으로 뒤를 이었다.

미세화 한계를 극복하는 새로운 동작원리에 대해서는 46명이 「양자효과를 이용한 단전자 소자」가 유망하다고 답했다.

<심규호 기자>