삼성전자, 美SST와 플래시메모리 기술 제휴

삼성전자(대표 윤종용)가 미국 실리콘스토리지테크놀러지(SST)사와 플래시 메모리 기술 이전에 관한 라이센스 및 전략적 제휴 계약을 체결했다.

이에 따라 삼성전자는 SST로부터 NOR형 플래시 메모리 기술을 이전받아 플래시 메모리를 내장한 임베디드 주문형반도체(ASIC) 및 마이크로컨트롤러를 개발할 수 있게 됐다. SST는 삼성전자의 앞선 제조공정기술을 습득하고 삼성전자의 첨단 생산라인을 이용, 저렴한 제조비용으로 자사의 제품을 생산하게 된다.

이와 함께 두 회사는 0.5미크론이나 그 이하 공정을 이용해 새로운 메모리카드 제품을 공동 개발하기로 합의했다.

플래시 메모리를 내장한 마이크로프로세서는 한번 프로그램이 입력되면 수정이 불가능한 기존 롬 내장형 마이크로프로세서와는 달리 프로그램을 자유롭게 수정할 수 있어 기술변화 추이가 빠른 통신, OA, 정보가전 제품에 널리 적용되고 있다.

삼성전자는 이 플래시 메모리 기술을 이용해 이동통신, 휴대용 컴퓨팅 분야나 시스템온칩에 사용되는 임베디드 ASIC, 마이크로컨트롤러 등을 개발할 방침이다.

삼성전자는 디지털카메라를 비롯한 대용량 데이터 저장에 이용되는 NAND형 플래시 메모리 기술은 보유하고 있으나 처리속도가 늦는 등 문제가 있어 마이크로프로세서 내장용이나 임베디드 ASIC용으로는 적합치 못해 이번에 라이센스 계약을 추진케 됐다고 밝혔다.

SST는 NOR형 플래시 메모리 기술인 「슈퍼플래시」를 보유하고 있는 반도체 업체로 기술제휴를 통한 영업확대 전략을 구사하고 있으며 현재 대만의 TSMC, 일본의 산요, 미국의 아날로그디바이스 등에 플래시 메모리 기술을 공여하고 있다.

<유형준 기자>