미쓰비시, 차세대 256MD램-고부가가치 반도체 "병행생산체제"로

일본 미쓰비시전기가 차세대 2백56MD램부터는 한개 공장내에서 범용 D램과 고부가가치 반도체를 병행 생산할 수 있는 체제를 갖춘다고 「일본경제신문」이 보도했다.

이에 따르면 미쓰비시는 내년 가을까지 사이조공장 내에 2백56MD램과 커스텀 IC, 영상처리용 메모리 등을 병행 생산하는 라인을 신설하고 메모리 전용공장으로 계획했던 고치縣 새 공장도 병행생산 체제를 갖춘 공장으로 전환할 계획이라고 발표했다.

미쓰비시전기는 이를 통해 D램사업의 약점인 투자위험을 크게 줄이는 동시에 다품종 제품을 유연하게 조절 생산할 수 있는 체제를 마련, 반도체 사업 전반의 수익개선을 도모할 방침이다.

미쓰비시전기는 우선 국내 주력거점인 사이조공장에 내년 하반기부터 2000년까지 총 4백억엔을 단계적으로 투자, 마이컴과 메모리를 집적한 커스텀IC, 영상처리용 메모리 등 고부가가치 제품과 차세대 2백56MD램을 동시 생산할 수 있는 체제를 마련한다.

또 고치현에는 2백56MD램 전용 공장을 신설할 계획이었으나 이를 변경, 커스템 IC와의 병행생산 공장으로 전환한다.

미쓰비시는 당초 고치공장의 가동시기를 2000년 초반으로 잡았으나 2백56MD램 양산에 필요한 미세가공장비의 개발이 다소 늦어짐에 따라 1년 정도 연기하기로 했다.

차세대 2백56MD램은 현재 주력제품인 64MD램보다 많은 설비투자비가 필요하다. 그런데 64MD램은 올해 본격적인 양산이 시작될 전망이나 현재 시황이 매우 불투명한 상태여서 이같은 상황이 2백56MD램으로 이어질 가능성도 배제할 수 없다.

이에 따라 미쓰비시는 2000년까지 본격적으로 수요가 확대될 2백56MD램을 전용생산이 아닌 다른 반도체 제품과 동시 생산함으로써 D램 시황 하락의 영향을 최소한으로 줄여 나가기로 한 것이다.

한편 미쓰비시측은 D램 전용 공장을 동시생산 공장으로 전환하면서 발생할 수 있는 공급 부족분과 관련해 『메모리 주력 공장인 구마모토 공장에서도 일부 2백56MD램을 생산하기 때문에 2000년 예상되는 월 1백만개 규모의 수요에는 대응할 수 있다』고 밝혔다.

<심규호 기자>