日롬社, 5V로 작동 FF램 소자 개발

일본 롬사가 저전압에서 작동하는 차세대 강유전체메모리(FF램) 소자 개발에 성공했다고 일본 「일간공업신문」이 밝혔다.

이에 따르면 롬사는 지금까지 15V가 필요했던 강유전체메모리의 작동 전압을 5V로 낮춘 차세대형 강유전체메모리를 개발, 이르면 오는 2000년까지 실용화할 계획이다.

강유전체메모리는 전원이 끊어져도 데이터가 없어지지 않는 불휘발성과 데이터의 고속입력이 가능하다는 특징 때문에 기존 D램을 대체할 「포스트 D램」으로 평가받고 있다. 이번 롬사가 개발한 FF램은 바로 이 Fe램의 차세대 제품에 해당하는 것으로, 이 회사는 이미 지난 95년 세계 최초로 소자의 동작 확인에 성공한 뒤 최근까지 실험 제품 개발에 주력해왔다.

실험 제작된 소자는 강유전체메모리(Fe램)의 재료를 기존 질코니아 티탄산 산화납(PZT)에서 스트론튬 탄탈 나이오베이트(STNO)로 대체한 것으로, 이 소자를 한 개 트랜지스터 구조의 메모리로 만들어 평가한 결과 5V의 저전압에서 실제로 동작했다.

롬사는 『STNO의 유전율은 50%로 PZT와 비교해 매우 낮으나, 이 정도 유전율로도 충분한 강유전체 특성을 발휘할수 있다는 사실을 알게됐다』며 『재입력 회수는 PZT수준(약 1조회)을 달성했다』고 밝혔다. 롬사는 앞으로 신뢰성 평가 등을 본격적으로 실시해 오는 2000년까지 실용화한다는 방침을 세워 놓고 있다.

FF램은 승압회로를 부착하지 않고도 로직IC 등과 동시 탑재가 가능해 칩크기의 소형화가 가능할 뿐 아니라 현재의 강유전체메모리와 달리 한 개 트랜지스터 구조로 돼 있어 메모리를 스위치로써 사용할 수 있기 때문에, 실용화가 가능해지면 전지구동형 휴대기기의 메모리와 게이트 어레이(범용논리회로)에 널리 이용될 것으로 보인다.

<심규호 기자>