일본 후지쯔가 대규모집적회로(LSI)를 前공정에서 패키징하는 새로운 개념의 기술을 개발했다.
일본 「日刊工業新聞」에 따르면 후지쯔는 최근 LSI를 웨이퍼째 초소형 패키지에 압축, 성형해 생산하는 몰딩기술을 개발했다고 발표했다.
이 기술의 개발로 지금까지 후공정 공장에서 별도로 절단된 칩을 개별 패키징해온 기존 반도체 생산공정에 큰 변화가 올 것으로 전망되는데, 이 기술을 이용하면 전공정에서 최종제품까지 일관가공이 가능해진다.
또 이 기술을 이용하면 칩의 크기를 현 최소형 패키지인 칩사이즈패키지(CSP)보다도 작게 만들 수 있어 세트의 소형화에도 크게 기여할 것으로 예상된다.
후지쯔는 앞으로 다른 반도체업체들에도 이 기술의 채용을 권장해 업계 표준기술로 확립해 나갈 방침이다.
후지쯔는 새 기술을 「압축성형을 기본으로 하는 신규 개발 몰드성형법」이란 이름으로 지난 10일 하와이에서 열린 「마이크로일렉트로닉스 심포지엄」에서 공개했다.
이 기술은 가공이 끝난 웨이퍼 위에 에폭시 계열의 열경화수지를 올려놓고 금형 속에서 약 1백75도로 가열해 압축 성형하는 구조로 돼 있다. 이 공정이 끝나면 웨이퍼 전체에 두께 95미크론의 보호 패키지가 형성된다. 그리고 패키징이 끝난 웨이퍼를 다이싱소(웨이퍼 절단장비)로 절단하면 최종 제품이 완성된다.
따라서 웨이퍼 직경별로 일정한 금형을 준비하면 모든 종류의 LSI를 패키징할 수 있다. 이 기술로 성형된 LSI는 기존의 CSP보다 더욱 작은데, 후지쯔는 이 제품의 이름을 「SCSP(슈퍼 칩 사이즈 패키지)」로 정했다.
후지쯔는 이번 기술을 업계 표준으로 육성하기 위해 다른 반도체업체에 이 기술을 낮은 요금으로 라이선스 제공해 보급확대에 주력할 방침이다.
한편 이번 후지쯔가 개발한 기술은 반도체업계의 생산구조에 일대 변혁을 일으킬 것으로 전문가들은 평가하고 있다. 이 기술이 상용화되면 반도체업체들은 후공정 전용공장이 전혀 불필요해지기 때문이다. 특히 이 기술은 기존 트랜스퍼 몰딩방식의 패키지 관련 장비업체에는 큰 위협으로 작용할 것이 분명하다.
<심규호기자>
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