日히타치, 신형 메모리 LSI기술 개발

일본 히타치제작소가 D램 기술의 한계를 뛰어 넘는 신형 메모리 대규모 집적회로(LSI)기술을 개발했다.

「日本經濟新聞」에 따르면 히타치제작소는 기존 반도체메모리와 그 구조가 전혀 다른 새로운 형태의 메모리 LSI 기술을 개발, 미국 샌프란시스코에서 열리고 있는 국제고체소자회로회의(ISSCC)에서 7일 발표했다.

히타치는 현재 이 기술을 토대로 기억용량 1백28Mb급 LSI를 실험 제작하는 데 성공했다. 이 기술을 이용하면 원리적으로 1Tb(테라비트)급 LSI의 제작도 가능한 것으로 알려지고 있다.

이번 히타치가 개발한 신형 메모리 LSI기술은 기존 D램 기술과 비교해 정보를 기억하는 소자 구조를 극도로 단순화한 「단일 전자 메모리 기술」을 기초로 한다.

히타치는 이미 수년전부터 단일 전자 메모리 기술을 포스트 D램 기술의 하나로 채택, 지난 96년에는 이 기술을 채용한 64비트 IC 제작에 성공한 바 있다. 히타치는 이번에 이 기술 수준을 LSI수준까지 끌어 올린 것으로 단일 전자 메모리 기술을 채용한 LSI의 제작은 이번이 세계 처음이다.

히타치는 특히 가공기술의 미세화가 뒷받침될 경우 원리적으로는 1Tb급 LSI 개발까지 가능하다고 밝히고 있는데 이번 실험 제작된 1백28Mb급 LSI는 0.25미크론 미세가공기술이 사용됐다.

히타치는 이 기술을 채용한 반도체를 기존 D램 기술이 한계에 도달할 것으로 보이는 2천10년께 실용화할 계획이다.

D램의 정보기억부는 현재 구조를 유지한 채 크기만이 계속 작아질 경우 1Tb 전후의 고집적화 단계에서는 정확하고 안정적으로 정보를 저장할 수 없게 된다. 그러나 단일 전자 메모리 기술은 그 구조가 매우 단순해 이같은 고집적화, 대용량화의 한계를 극복할 수 있을 것으로 기대되고 있다.

<심규호 기자>