구리칩 성능 개선기술 개발

미국 텍서스 인스트루먼츠(TI)가 구리칩의 성능을 한층 높여 초고성능 반도체 개발이 가능한 새로운 기술을 개발했다고 「인포월드」가 보도했다.

TI의 길비센터 연구진은 구리와 절연물질인 크세로겔을 결합시켜 집적회로(IC)에 적용할 수 있는 기술을 개발했다고 밝혔다.

TI 연구진은 이번에 개발된 기술이 최근 IBM이 발표한 구리칩 제조기술보다 한 단계 진전된 것이라고 평가하고 이 기술을 적용하면 기존 최고 성능의 제품보다 10배이상 처리속도가 빠르고 전력 소모가 적은 디지털신호처리칩(DSP), 마이크로프로세서 및 각종 IC를 제조할 수 있다고 말했다.

연구진은 칩의 집적도가 높아질수록 트랜지스터 사이를 연결하는 회선이 성능 향상의 관건이 된다며 구리 회선 자체는 저항을 줄이는 효과는 있지만 정전용량 효과라는 또다른 문제를 해결하는데는 적합치 못해 성능 향상에 한계가 있다고 설명했다.

연구진은 이에 대해 현재까지 가장 낮은 유전 상수를 갖는 것으로 알려진 크세로겔을 구리와 결합, 회선을 구성하는 기술을 통해 이같은 문제를 해결할 수 있다며 이 기술을 사용해 앞으로 0.1미크론 미세 회로 구성이 가능해져 하나의 칩에 5억개이상의 트랜지스터를 집적시키고 기가헤르쯔대의 성능을 갖는 칩 개발이 가능해질 것이라고 예상했다.

<오세관 기자>