마쓰시타전자, 소형 첨단 반도체공장 건설

일본 마쓰시타전자공업이 투자 위험을 줄일 수 있는 소규모의 차세대 반도체공장 건설을 추진한다고 「日本經濟新聞」이 최근 전했다.

이 신문에 따르면 이 회사는 오는 99년 니가타縣 아라이市에 선폭 0.18미크론의 미세가공기술을 채용하고, 생산규모가 8인치웨이퍼 환산 3천5천장인 소규모 첨단반도체공장 건설에 착수할 방침이다.

마쓰시타전자가 소규모 반도체공장 건설을 추진하는 것은 반도체분야의 기술발전과 수급동향 변화에 따른 투자위험에 대응하기 위한 것으로 새 공장건설에는 통상 투자비의 3분의 1인 정도인 3백억4백억엔을 투입할 계획이다.

이 공장에서는 현재 주류인 선폭 0.35, 0.25미크론보다 더욱 미세한 0.18미크론의 미세가공을 활용하기 때문에 고성능 대규모집적회로(LSI) 등을 생산할 계획이다.

한편 마쓰시타전자는 이에 앞서 내년 선폭 0.25미크론의 소규모 반도체공장도 건설할 계획이다. 생산규모는 8인치웨이퍼환산 월간 5천장으로 예정하고 있다.

<신기성 기자>