ETRI, 500GHz 고온초전도 디지털소자 세계 첫 개발

세계 최초로 5백 GHz급 스위칭 속도를 지닌 고온초전도 디지털소자가 개발됐다.

3일 한국전자통신연구원(ETRI,원장 양승택)은 차세대 정보통신시스템 구현을 위한 「핵심 및 원천기초기술사업」의 일환으로 5백기가Hz급 스위칭 속도의 고온초전도 디지털 소자를 개발했다고 밝혔다.

고온초전도 디지털소자는 레이더 및 통신시스템용 아날로그, 디지털 교환기, 테라비트급 광교환기용 스위치, 대용량 컴퓨터 중앙처리장치(CPU)등에 사용될 핵심소자로서 기존 반도체소자가 전압을 이용해 각종 정보전달을 하는 것과는 달리 초전도 상태와 비초전도 상태의 변환을 스위칭에 이용해 테라 Hz급의 정보전달 속도를 지니는 것이 특징이다.

소모전력은 기존실리콘 소자에 비해 1천분의 1일밖에 되지 않은데 비해 속도가 1백배 이상 빨라 실리콘 소자의 한계를 극복할 수 있는 신기능 소자로 각광받고 있다.

특히 기존 초전도체 디지털 소자가 저온인 절대온도 4.2도(섭씨 영하 2백68.8도)에서 구현됐으나 ETRI가 개발한 소자는 절대온도 77도(섭씨 영하 1백96도)의 고온에서 작동되도록 설계돼 고온초전도 디지털소자의 실용화 가능성을 연 것으로 평가된다.

ETRI측은 『현재까지 미국 노스롭 그루만사가 개발한 절대온도 65도의 고온초전도 디지털소자보다 높은 77도에서 작동하는 디지털 소자는 이번이 처음』이라고 설명했다.

ETRI기초기술연구부 성건용 박사는 『이번 5백기가Hz급 디지털 소자개발로 인해 국내 고온초전도 디지털 제작기술이 세계적인 수준으로 높아졌다』며 『관련기술의 시제품, 상품화추진을 위해 노력할 것』이라고 밝혔다.

<대전=김상룡 기자>