日 도시바, 1GD램 메모리 셀 축소 기술 개발

일본 도시바가 차차세대 D램인 1GD램의 메모리 셀 면적을 40% 축소하는 새 기술을 개발했다.

일본 「日經産業新聞」에 따르면 도시바가 개발한 기술은 1GD램의 셀 면적을 기존 0.34 평방 미크론에서 0.18평방 미크론으로 줄이는 것인데 도시바는 회로를 절연체인 실리콘질화막으로 피복함으로써 회로와 회로 사이의 여백을 없애는 새로운 셀 형성 방식을 채용해 이를 실현했다.

도시바는 1GD램 생산에는 선폭 0.15미크론 미세가공기술을 이용할 계획이나, 이번 개발 과정에서는 엑시머레이저를 활용한 0.22미크론 기술을 이용해 원리적으로 제작이 가능하다는 것을 확인했다.

도시바는 특히 이번 새기술 개발에 전하를 저장하는 캐퍼시터를 웨이퍼 위에 쌓아 놓는 이른바 스택방식을 채용했다. 도시바는 원래 D램 제조에서 캐퍼시터를 웨이퍼 내부에 형성하는 트랜치방식을 채용하고 있으나 1GD램 제작에는 트랜치방식의 채용이 어렵다고 판단,스택방식을 채용한 기술 개발을 추진해 왔다.

현재 1GD램의 메모리 셀 면적은 한국 삼성전자가 시험제작한 0.34평방 미크론이 최소인데 삼성전자는 1GD램은 물론 모든 D램 제작에 스택방식을 채용하고 있다.

캐퍼시터 구조를 3차원화해 단위 면적당 정전 용량을 극대화하는 방식에는 스택방식과 트랜치방식 2가지가 있다. 스택방식은 현재 삼성전자를 비롯한 대부분의 업체들이, 트랜치방식은 IBM, 지멘스, 미쓰비시, 도시바 등이 채택하고 있다.

<심규호 기자>