KIST, 초고속 고온초전도 디지털소자 국내 첫 개발

기존의 실리콘 반도체에 비해 정보처리 속도와 전력소모 등을 획기적으로 개선시킨 초고속 고온초전도 디지털소자가 국내처음으로 개발됐다.

한국과학기술연구원(KIST, 원장 박원훈) 정보재료, 소자연구센터 한택상, 최상삼 책임연구원팀은 강준희 인천대 교수와 공동으로 지난 2년동안 4억원의 연구비를 들여 국내 최초로 초고속 고온초전도 디지털(단자속 양자:SFQ)소자를 제작, 시험 작동하는데 성공했다고 18일 발표했다.

이 소자는 고온초전도체를 두께 0.3미크론(1미크론:1천분의 1mm)의 박막으로 미세회로화해 조셉슨 접합(초전도체 사이에 얇은 절연층이 있는 구조) 형태로 만든 다음 이를 집적시켜 제작한 것으로 정보처리속도는 기존의 실리콘 소자에 비해 1백배 이상 빠른 반면 전력소모는 1천분의 1수준에 불과해 앞으로 특히 영상정보 처리 등의 분야에 탁월한 성능을 보일 것으로 기대된다.

앞으로 이 소자가 실용화되면 초고속 정보통신망 구축을 비롯, 새로운 개념의 초고속 컴퓨터와 첨단 군사장비 등의 초고속 전자소자에 널리 응용될 전망이다.

KIST측은 『이 소자가 미국, 일본 등 선진국들과 거의 같은 시점에, 그것도 순수한 국내 기술로 이루어졌다는 점에서 이 분야 국내 연구수준이 이미 선진국들과 비교해도 거의 대등한 위치까지 발돋움 했음을 입증한 쾌거』라고 지적했다.

한편 한택상 책임연구팀은 이번에 실험실 수준에서 개발된 고온초전도 소자관련 기술을 바탕으로 오는 2005년까지 실용화 연구를 계속 추진하는 동시에 그동안 이 연구 수행과정에서 습득한 최신 기술에 대한 특허출원을 준비하고 있다고 밝혔다.

<서기선 기자>