반도체업계, 전력용 반도체 사업강화

국내 반도체 업체들이 비메모리 반도체 가운데서도 시장진입이 비교적 쉬운 전력용 반도체 사업강화를 우선적으로 추진하고 있다.

전력용 반도체란 대용량의 전력을 변환 또는 제어하는 반도체로 고내압, 고속화, 고주파수화, 고기능화의 특성을 띠며 전력트랜지스터, 전력다이오드, 사이리스터 등 개별소자와 이들 개별소자를 응용한 전력IC 등을 말하며 전체 반도체 시장의 20% 정도를 차지하고 있다. 특히 이들 부품은 다른 비메모리 제품에 비해 제품 개발 기간은 짧은 반면 라이프 사이클은 길고 신규 진출 업체가 거의 없어 국내 반도체 업체가 단기간 내에 시장경쟁력을 갖출 수 있는 분야로 알려지고 있다.

삼성전자는 최근 웨이퍼 2장을 직접 결합시키는 SDB(Silicon Diret Bonding)공법을 적용한 1천2백V 절연게이트형 트랜지스터(IGBT) 개발에 성공했다. 삼성은 올해 전력반도체 분야 매출을 작년보다 30% 이상 향상된 6억달러로 책정하고 2002년 세계 10대 메이커로 진입하기 위해 전계효과트랜지스터(MOSFET), SPS, IGBT 등 일류화제품과 파워트랜지스터,모터구동IC 등 5대 주력제품을 선정,신기술 개발과 공정 단순화를 통해 집중 육성할 계획이다.

삼성은 이를 위해 올해에도 30명 이상의 연구진을 지속적으로 보강하고 지난해 말부터 부천공장 생산라인 일부를 5인치 웨이퍼에서 6인치로 교체,생산성 향상에도 나서고 있다. 특히 이 회사가 중점 개발,주력품목으로 육성하고 있는 MOSFET,IGBT 등이 최근 국내 모니터와 모터에 일부 채용되고 있어 그동안 외국업체가 독점해온 국내 전력반도체 시장판도에 변화를 줄 것으로 예상되고 있다.

지난해 8월 대용량 전력용 반도체 소자인 고속스위칭 사이리스터 개발에 이어 최근 대전력 교류정류 다이오드 모듈을 개발한 한국전자도 올해를 기점으로 전력용 반도체 사업을 대폭 강화키로 하고 연구소 인원과 생산라인 공정인력 확보에 나서고 있다. 지난 94년부터 연구차원에서 전력용 반도체 개발을 활발히 진행해온 한국전자는 이미 시제품 상태의 IGBT모듈과 2팩 FRD(Fast Recovery Diode)모듈을 개발완료한데 이어 앞으로 시스템 토털솔루션 형태로 전력용 반도체를 일괄 개발,공급할 계획이다. 또한 전력용 반도체 시장에서 조기에 입지를 구축하기 위해 공급업체에 기술적 지원을 담당할 어플리케이션 엔지니어부를 신설해 8명의 인원을 새로 모집하고 제품소개 및 사후지원 활동을 활발히 펼쳐 나갈 방침이다.

<유형준 기자>