日미쓰비시, 휴대 정보단말기용 S램 개발

일본 미쓰비시전기가 휴대전화등 휴대정보단말기용 2MS램을 개발, 25일 부터 샘플 출하한다고 「日本經濟新聞」이 보도했다.

이 신문에 따르면 이 제품은 휴대단말기의 전지 수명연장을 위해 박막트랜지스터(TFT)방식의 메모리셀을 채용하고 소비전력을 3볼트로 억제시켰다. 액세스 시간은 70나노초이다.

샘플은 32핀의 SOP(스몰 아웃라인 패키지)와 같은 핀수의 T(박형)SOP를 채용하고 있는데 가격은 개당 8백50엔이다.

미쓰비시는 2백56K, 4M의 저소비전력 S램을 생산하고 있다. 따라서 이번 2M S램의 추가로 2백56K에서 4M에 이르는 제품구색을 갖추게 됐다.

<박주용 기자>