日마쓰시타, 저전력 고속동작 LSI회로기술 개발

일본 마쓰시타電器가 대규모집적회로(LSI)의 저전압, 고속동작을 가능케 하는 LSI회로기술을 개발했다고 「日本經濟新聞」이 최근 보도했다.

이 회로기술을 사용하면 전압 0.5V에서 주파수 1백MHz 속도로 작동되는 LSI의 개발이 가능한데, 소비전력도 기존의 60분의 1로 매우 낮다.

이 회로기술은 메모리 등에 폭 넓게 사용되는 상보성금속산화막반도체(CMOS)용으로, CMOS는 지금까지 개발된 기술로는 0.5V 전압으로 주파수 1백MHz의 속도를 내는 것이 불가능했다.

현재의 LSI는 1백MHz로 작동될 경우 2V의 전압이 필요한데 마쓰시타의 새 회로기술은 전압을 높일 때 발생하는 전류손실을 줄이는 승압회로를 채용하여 필요전압을 크게 낮췄다.

마쓰시타는 오는 2000년까지 새 회로기술을 이용한 LSI를 생산, 휴대형 단말기 등에 채용해 나갈 방침이다.

<심규호 기자>