국제상사, 고주파용 초저잡음 PHEMT 첫 개발

그동안 일본 NEC, 후지쯔, 미국 HP에서 독점해온 위성방송 안테나 등 각종 무선통신 수신기용 저잡음 주파수 변환기(LNB)의 핵심부품인 고주파용 초저잡음 고전자이동도트랜지스터(P-HEMT)가 국내에서 첫 개발, 상용화됐다.

국제상사(전자부문 사장 마동성)은 지난 94년부터 총 30억원을 들여 갈륨비소(GaAs) 화합물 반도체를 이용, 12G의 사용주파수에서 잡음지수 0.42, 증폭지수 12.4 등 특성이 현재 최고 수준인 P-HEMT를 국산화하는 데 성공했다고 23일 밝혔다.

국제상사는 이미 국내외 유수의 위성방송 수신기 관련업체들에 이 제품의 필드 테스트를 의뢰, 합격판정을 받았으며 다음달부터 본격 양산에 돌입, 월 1백만개 정도를 삼성전기, 대만컴텍스, 스마일社 등 국내외 업체에 공급할 방침이다.

이번에 개발된 P-HEMT 소자는 분자선 에피기술로 성장된 3인치 이형접합 갈륨비소 에피웨이퍼를 사용, T자형 게이트에 회로선폭은 그동안 무선통신 부품시장을 주도해온 NEC社의 HEMT와 유사한 수준인 0.2미크론(1미크론은 1백만분의 1m)의 초미세 구조로 설계됐다.

국제상사는 『이번 P-HEMT의 상용화 성공으로 화합물 반도체의 전자소자분야에 있어서는 일본과 머금가는 수준에 도달했다』고 자평하고 『그동안 전량 미국, 일본 등 수입에 의존해온 이 제품의 국내공급이 가능하게돼 연간 2천만달러 이상의 수입대체 및 적지않은 수출효과가 기대된다』고 밝혔다.

국제상사는 지난 90년에 설립돼 그동안 독자기술로 각종 무선 정보통신기기, 장비에 채용되는 전계효과 트랜지스터(MESFET), 이형접합 양극형 트랜지스터(HBT), HEMT 등 화합물 반도체를 이용한 전자소자용 부품을 개발, 생산해왔다.

〈강병준기자〉