[확대경] 강유전체-多値방식메모리 통신시장 노크

강유전체메모리와 多値방식메모리가 소형, 저전력, 저가격화가 추진되고 있는 휴대정보단말기(PDA)와 네트워크단말기용으로 제품화되기 시작했다.

강유전체메모리는 티탄산 질콘산연등의 강유전체를 재료로 사용한 반도체메모리. 전원을 꺼도 테이터가 없어지지 않을 뿐 아니라 랜덤 억세스와 재기록 등 현재까지 개발된 메모리의 장점을 두루 갖추고 있다. 이 메모리는 또 시스템의 주기억장치와 외부기억장치를 한 개 칩에 집적할 수 있어 정보단말기의 소형화에 적격이다. 제품가격 또한 현 주력 메모리인 D램과 비슷한 수준까지 끌어내릴 수 있어, 장기적으로 D램을 대체할 가장 유력한 메모리반도체로 평가받고 있다.

다치방식 플래시메모리의 경우 기록신호로 0과 1을 사용하는 기존 방식과 달리 0,1,2,3 4종류 신호를 사용하여, 셀당 기록용량을 크게 높인 제품이다. 기술적인 면에서 아직 개선의 여지가 많이 남아 있으나, 앞으로의 개발여하에 따라서는 메모리시장의 새로운 강자로 부상할 가능성이 있는 것으로 분석되고 있다. 성능은 강유전체메모리에 비해 다소 뒤지지만 가격면에서는 높은 경쟁력을 확보하고 있다.

강유전체메모리는 롬社와 마쓰시타전자가 이미 양산을 시작했고, 하타치제작소도 오는 12월부터 2백56Kb급 제품을 샘플출하한다. 도시바와 후지쯔는 마이컴 탑재를 목표로 개발을 서두르고 있으며, 한국 삼성전자도 개발을 가속화하고 있다. 이 메모리는 제품의 신뢰도 면에서 이미 어느 정도 높은 평가를 받고 있다. 따라서 이제 강유전체메모리의 최대 관심사는 재기록 가능회수를 얼마만큼 늘릴 수 있는냐 하는 점이다. 현재 각 업체들이 개발한 강유전체메모리는 IC카드로 활용할수 있는 수준인 10의 12승회回의 재기록이 가능하다.

특히 롬社는 독자적인 기술을 활용해 교체기록회수를 크게 높여 관심을 끌고 있다. 롬사는 강유전체 제료에 종전대로 티탄산 질콘산연(PZT)를 사용한 반면, 상부와 하부 전극에 이리듐계 재료를 사용해 이를 실현했다.

롬사는 강유전체메모리 재기록회수에 한계는 강유전체측에서 전극 쪽으로 산소 및 기타 원자가 끌려 들어가기 때문에 발생하는 것으로 분석했다. 산소가 빠져나가면 분극 전하량이 줄어들어 교체기록할 수 있는 회수가 적어지고 강유전성도 나타나지 않는다는 것이다. 이리듐계 재료에는 각 원자에 대해 장벽효과가 있기 때문에 이 현상을 피할 수 있다고 밝혔다.

현재 강유전체메모리 생산업체들은 강유전체메모리의 성능을 재기록면에서 10의 15승회까지, 집적도 면에서 D램과 같은 수준을 목표로 하고 있다.

한편 다치방식 플래시메모리는 산요전기가 세계 최초로 제품화에 성공했다. 산요는 이 제품을 올 12월부터 샘플 출하하고, 내년2.4분기부터는 본격적인 양산을 시작할 계획이다. 현재 다치방식 플래시메모리는 산요 이외에도 미국의 인텔과 센디스크, 일본의 주요반도체업체들이 개발에 적극 나서고 있다. 이 가운데 인텔은 다치기술을 사용하여 16MB의 미니어처카드를 『2000년까지 12달러이하로 제품화』한다는 목표 아래 개발에 박차를 가하고 있다.

강유전체 메모리, 다치방식플래시메모리 모두 집적도와 기능, 성능면에서 완성된 제품이라고 평가하기엔 성급한 감이 없지 않다. 그러나 주목할 것은 이 제품들이 D램을 이어나갈 차세대메모리로 자리잡기 위해 빠른 행보를 보이고 있다는 점이다.

<심규호 기자>