현대전자, SOI웨이퍼 사용 64MD램 시제품 개발

현대전자(대표 정몽헌)가 업계 처음으로 차세대 반도체 소자인 실리콘 2중막 웨이퍼(SOI:Silicon on Insulator)를 사용한 64MD램 시제품 개발에 성공했다고 18일 발표했다.

SOI는 약 4천Å(10억분의 1m) 두께의 실리콘 절연막 위에 다시 1천∼2천Å의 실리콘 박막을 형성시킨 웨이퍼로 기존 실리콘 웨이퍼보다 셀 저장용량을크게 낮춰 간단한 구조의 고집적 메모리제품 개발이 가능해 기가급 이상의초고집적 반도체 개발에 필수적인 기술로 평가받고 있다. 특히 SOI기술을 채용할 경우 사용전압을 1.5V까지 낮출 수 있어 각종 휴대형 정보기기에 채용되는 메모리 및 비메모리 반도체 전반에 걸쳐 저전압화 및 고속화를 앞당기는 웨이퍼 제품으로 폭넓게 사용될 것으로 예상된다.

현대전자 반도체연구소 황인석 전무는 『SOI기술의 장점은 고집적 저전압을 크게 앞당길 수 있다는 것』이라고 전제하고 『이번 64MD램에 SOI기술을적용한 것은 무엇보다 종전의 가장 큰 문제점인 트랜지스터 채널의 무접지문제를 박막기술 사용으로 해결, 차세대 기가급 메모리 반도체 개발기술을 확보했다는 데 있다』고 강조했다.

현대전자는 이번 SOI기술을 이용한 64MD램 시제품을 통해 이미 다수의 특허를 출원했으며 오는 12월 미국에서 열리는 세계전기전자공학회 및 국제 반도체 학술대회에 관련 논문을 발표할 예정이다.

〈김경묵 기자〉