日 RWCP, 새 반도체 재료 개발..화합물반도체 질소 주입

일본 히타치제작소와 통산성이 주도하는 연구조직인 新情報處理開發機構(RWCP)가 화합물반도체에 질소를 혼입시킨 새로운 반도체재료를 개발했다.

또 이 재료로 시험제작한 레이저가 기존 재료를 사용한 레이저보다 온도변화에 강하고 고온에서도 안정적으로 발광하는 것을 확인했다고 「日經産業新聞」이 최근 보도했다.

새 재료는 갤륨·인듐·비소에 질소를 혼입한 것으로 갤륨·비소기판에 결정을 성장시켜 만든다. 질소를 혼입하는 것으로 특성을 조정, 광케이블 통신에 사용하는 1.3미크론수준의 파장을 발생시킬 수 있도록 했다.

히타치와 RWCP는 새 재료를 사용해 실온에서 레이저를 연속발진시킨 결과레이저는 온도변화에 강하고 섭씨 85도의 고온에서도 실온시의 1.6배정도되는 전류를 흘리면 안정적으로 발광하는 것으로 나타났다.

현재의 발진파장은 1.2미크론이지만 질소의 비율을 조절하면 통신용인 1.3미크론으로 설정할 수 있다.

한편 히타치와 RWCP는 앞으로 새 재료를 사용해 光을 수직방향으로 내는면발광레이저도 시험제작할 계획이다. 면발광레이저는 소비전력이 적고 손쉽게 집적할 수 있기 때문에 컴퓨터간에 광통신을 주고받을 수 있는 인터커넥셕등에 응용할 수 있을 것으로 기대되고 있다.

<신기성 기자>