LG반도체, 기가급 공정기술 X선 노광기술 개발

LG반도체(대표 문정환)가 기가(G)D램의 핵심 공정기술인 X線 노광 기술확보에 본격 나선다.

LG반도체는 문정환 부회장과 장수영 포항공대총장, 박기환 포항시장 및LG그룹과 포항공대 관계자 등 50여명이 참석한 가운데 30일 포항공대에서방사광 가속기 전용빔 라인과 청정실, X선 전용 노광장비 등 최첨단 연구장비를 갖춘 「X선 노광기술 연구센터」 개소식을 갖고 그간 국내에서 전무했던 방사광 X선 노광기술 개발에 본격 나섰다.

LG는 이 노광기술연구센터에 4백여억원을 집중투자해 연말까지 1GD램에해당하는 0.18미크론 수준의 극초미세 노광기술을 확보하고 2003년까지는 0.

12미크론의 노광기술을 개발, 4GD램의 핵심공정기술을 조기 확보할 계획이다.

X선 노광기술은 현재 메가급 반도체의 개발 및 양산에 사용하고 있는 자외선 노광기술로는 기가급 반도체에 필요한 회로선폭 0.2미크론 이하의 회로를 웨이퍼상에 형상화하기가 불가능한 것으로 지적되고 있는데 따라 기가급반도체의 개발에 필수적인 핵심기술로 각광받고 있는 차세대 신기술이다. 지금까지 X선 노광기술은 막대한 투자비와 기술확보의 어려움으로 국내에서는개발이 거의 전무한 상태였으나 지난해 초 포항공대가 이 기술확보의 핵심장비인 방사광 가속기를 설치, LG반도체를 주축으로 이 분야에 대한 연구가활기를 띠어왔다.

<김경묵 기자>