반도체 3사, 3세대 16MD램 조기생산 박차

반도체업계가 최근의 급속한 D램가격 하락에 따른 수익성 보전을 위해 고속제품의 잇따른 출시와 함께 웨이퍼당 생산하는 다이(die)수를 극대화할 수있는 「칩 크기 줄이기」에 경쟁적으로 나서고 있다.

삼성전자·현대전자·LG반도체 등 국내 반도체 3사는 지난해 말까지만해도 50달러에 육박했던 16MD램 가격이 최근에는 16달러 이하로 떨어져 메가비트당 가격도 1달러 이하로 내려가는 등 가격폭락으로 수익성이 감소하고이로 인한 업체간 공급경쟁도 가열될 것으로 예상하고 있다.

이에 따라 업계는 시장우위를 보전하기 위해서는 원가경쟁력 확보가 시급하다고 보고 다음세대 제조기술을 적용한 16MD램 3세대 제품 양산시기를앞당기는데 주력하고 있다.

이는 16MD램 3세대 제품이 64M 및 2백56MD램에서 사용하는 0.3∼0.25미크론의 초미세 회로선폭 기술을 채용, 8인치 웨이퍼 기준으로 장당 칩 수를 현재 2백60개 정도인 2세대 제품보다 70∼80% 정도 늘어난 4백여개를 생산할 수 있어 전체적으로 원가경쟁력을 30∼40% 이상 높일 수 있기 때문이다.

삼성전자는 당초 계획보다 6개월 정도 앞당긴 다음달부터 64MD램급 이상에 채용되는 0.35미크론 공정기술을 적용한 3세대 16MD램의 본격 양산에 들어가 늦어도 연말까지 월 1천4백만개로 예상되는 16MD램 전 제품을 3세대제품으로 교체한다는 방침 아래 수율 제고에 박차를 가하고 있다.

올초 2세대 제품을 뛰어넘어 지난 4월부터 3세대 제품 생산을 시작한 현대전자는 이천 FAB 5,6를 본격가동해 3.4분기 이후 월 1천2백개 수준의 16MD램을 전면 3세대 제품으로 전환생산키로 결정하고 수율을 80% 이상으로 끌어올리는데 힘쓰고 있다.

LG반도체 역시 현재 0.4미크론 공정기술을 이용한 2세대 제품의 생산을3.4분기까지만 지속하고 10월부터는 0.35미크론 기술을 적용한 3세대 제품을본격 생산키로 하고 청주 C3라인의 재구축에 나서고 있다.

업계 관계자들은 『어차피 16MD램의 가격파괴가 본격화된 만큼 어느 업체가 더욱 경쟁력 있는 생산구조를 구축하느냐에 승패가 달려 있다』고 전제하고 이를 위해 이제 고속 제품 경쟁에서 더욱 내실 있는 「네트 다이 수 늘리기 경쟁」이 치열해지고 있다고 진단했다. 또한 『업체들이 가격안정을 위한 재고조절·고속제품출하 등 여러가지 방안을 고려하고 있으나 쉬링크제품생산확대를 개별 업체 차원에서 가장 현실적인 대안으로 인식하고 있는 것같다』고 덧붙였다.

<김경묵 기자>