삼성전자, 3세대 16MD램 하반기부터 양산

삼성전자(대표 김광호)가 기존제품보다 칩 크기를 30% 이상 줄인 3세대 16MD램을 하반기부터 본격 양산한다.

삼성전자는 최근 가속화되고 있는 D램가격 급락 추세에 대응한 원가경쟁력 제고를 위해 웨이퍼당 다이 수를 훨씬 늘릴 수 있는 16MD램 3세대 제품생산시기를 당초 계획보다 6개월 정도 앞당길 계획이라고 9일 밝혔다.

이 3세대 16MD램은 회로선폭 0.35미크론 등 64MD램 이상의 제품 제조에 사용되는 공정기술을 적용, 칩 크기를 크게 줄임으로써 8인치 웨이퍼 1장당 종전(통상 2백60개)보다 40% 이상 늘어난 4백여개의 16MD램을 생산할수 있다.

삼성전자의 한 관계자는 『전체 반도체 원가에서 웨이퍼가공(FAB)공정이차지하는 비중이 약 80% 정도인 점을 고려할때 3세대 제품생산이 본격화 될경우 원가경쟁력은 30% 이상 높아질 것』으로 예측했다.

삼성전자는 상반기 시제품 생산에 이어 7월부터는 3세대 제품을 월 5백만개 규모로 양산하고, 4.4분기 이후에는 1천4천만개 수준인 16MD램 전체 생산량을 3세대 제품으로 완전 교체할 계획이다.

16MD램 3세대 제품은 삼성 외에 일본업체와 현대전자·LG반도체 등 유력 D램 공급업체들이 경쟁적으로 양산을 추진중이나 대부분 올 4.4분기 이후에나 본격적인 양산에 돌입할 것으로 알려졌다.

<김경묵 기자>