차세대 반도체재료 "탄화규소" 일본서 가공기술 첫 개발

신기성기자

차세대 반도체재료로 전망되는 탄화규소의 가공기술이 일본의 한 대학 연구팀에 의해 개발됐다.

"일경산업신문"의 최근 보도에 따르면 일본 도카이(동해)대학 공학부 무라하라연구팀은 열이나 방사선에 강한 탄화규소 반도체재료에 반응성을 높인가스중에서 기판에 레이저광을 쏘여 회로패턴을 그리는 미세가공기술을 개발하는데 성공했다. 이는 양산기술로도 적합한 것으로 알려지고 있다. 탄화규소는 실리콘을 능가하는 특성을 가진 반도체재료이지만 가공이 어렵다는 문제점을 안고 있는데 이번 가공기술의 개발로 이용확대의 길이 열렸다고 이신문은 전했다.

새로 개발한 기술은 삼(삼)불화질소 가스를 충전한 용기에 탄화규소 기판을넣어 2종의 빛을 동시에 조사하고 용기의 옆면에서 파장 1백72나노미터의크세논 엑시머 램프의 자외선을 쏘여 삼불화질소를 분해, 반응성이 높은 불소분자를 발생시키는 것이다.

또 용기의 상단으로부터는 파장 2백48나노미터의 불화크립톤 엑시머레이저광을 기판을 향해 조사하고 레이저와 기판 사이에는 회로를 그린 마스크를끼워 일괄 노광한다. 빛이 쏘여진 부분은 활성이 높아져 가스중의 불소분자와반응, 표면의 원자가 벗겨지게 된다.

이 기술의 개발에서 무라하라연구팀은 폭 1um의 홈을 성형했지만 이론적으로는 보다 가는 선을 그리는 것도 가능하다고 이 신문은 덧붙였다.