기존 제품보다 부피는 작으면서도 성능이 우수한 "패키지 없는 반도체"가등장, 첨단세트의 경박단소화가 한층 가속화할 전망이다.
삼성전자(대표 김광호)는 기존 패키징을 끝낸 완성칩과 맞먹는 수준의 신뢰성을 베어(Bare)칩 상태에서 확보할 수 있는 "논 굿 다이(Known Good Die)"제조기술 개발에 성공해 1M 및 4M 고속 S램 생산에 적용하고 있다고 23일밝혔다.
논 굿 다이란 웨이퍼 혹은 칩 상태로 공정을 마무리한 일종의 베어칩으로기존 패키지를 씌운 완성품과 비교해 품질 및 신뢰성 면에서 뒤떨어지지 않으면서도 저(저)전력에 신호처리가 빠르고 특히 부피가 작아 세트의 고집적화.소형화에 유리해 주로 고성능 세트에 채용되는 멀티 칩 모듈(MCM)을꾸미는 핵심 반도체로 사용되고 있다.
이번에 삼성전자가 5억원의 개발비를 들여 자체 개발한 논 굿 다이는 세트업체들이 자사제품 특성에 맞게 저렴한 리드프레임을 이용할 수 있고 조립및테스트도 기존 반도체 패키지 공정과 유사해 수요업체들의 원가절감 효과를극대화할 수 있다고 삼성측은 설명했다. 또 이 제품이 현재 인공위성.비행기.미사일 등 군사용과 핸드폰을 중심으로 세계적으로 5천만 달러 정도의 시장을 형성하고 있으나 2000년에는 전체 반도체시장의 45% 이상을 차지할 정도로 급성장할 것으로 예상된다고 덧붙였다.
<김경묵기자>
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