일 히타치-후지쯔, 반도체메모리공장 투자 확대

일본의 히타치제작소와 후지쯔는 각각 국내외에 투자액 1천억엔 규모의 반도체메모리 공장을 건설한다.

"일본경제신문"의 최근 보도에 따르면 이같은 계획 아래 이들 두 회사는우선 내년에 이중 10%를 투자, 건물을 완공하고 수요동향을 파악한 후 생산라인의 설치와 생산개시 시기를 결정하는 2단계 투자방식을 도입한다는 것이다.

이에 따라 히타치는 금년중 이바라키현 히타치나카시에 있는 나가제조본부에새 공장을 착공할 예정이다. 여기에는 회로선폭 0.3um의 미세가공기술을도입, 64MD램을 월간 3백만개 생산할 수 있는 체제를 구축할 계획이다.

히타치는 새로 세우는 히타치나카시 공장, 미국 및 동남아시아에서 계획중인합작공장을 합치면 히타치는 64MD램을 월 1천만개 생산하는 체제를 갖추게된다.

후지쯔는 제휴관계에 있는 미 어드밴스트 마이크로 디바이시스(AMD)와 휴대전화용 등으로 수요가 늘고 있는 플래시메모리의 새 공장을 올해안에 착공키로 합의했다. 후보지로는 후지쯔의 그레샴공장과 아일랜드가 검토되고 있으며 선폭 0.35um이하의 생산라인을 구축할 계획이다. 이들 두 회사의 합작공장은 아이즈와카마쓰에서 가동 또는 계획중인 2개 공장에 이어 3번째다.

히타치, 후지쯔 양사는 오는 98년중 생산개시를 목표로 새 공장 건설을 추진하지만 클린룸과 각종 제조장치등의 도입시기는 공장착공 1년후에 결정할방침이다.

〈신기성기자〉