[용어교실] IGBT

IGBT란 insulated gate bipolar transistor의 약어로서 절연 게이트형 바 이폴러트랜지스터를 말하며 바이폴러 MOS FET의 별칭이기도 하다.

FET(field effect transistor:전계효과트랜지스터)는 전자 또는 정공의 한쪽만이 전도에 기여하는 유니폴러소자와 전자.정공 양쪽이 다 전도에 기여하는바이폴러소자로 구분되는데, MOS(metal o.ide semiconductor) FET로 대표 되는 유니폴러소자는 여러가지 장점을 가지고 있는 반면, 상호컨덕턴스가 낮아용양성 부하를 구동하는 LSI소자로 사용할 경우 스위칭속도에 한계가 있으며 고도로 내압화하면 온(ON)저항이 급증하기 때문에 파워반도체소자로서한계가 나타난다는 단점이 있다. 유니폴러소자의 장점과 단점은 바이폴러소 자의 장.단점과 정반대로 유니폴러소자와 바이폴러소자를 복합집적화해 양자 의장점을 갖춘 것이 IGBT, 즉 바이폴러 MOS FET이다.

이 복합소자인 IGBT는 MOS FET의 고입력 인피던스특성과 바이폴러 트랜지스터의 고출력특성을 함께 갖추고 있어 MOS FET와 바이폴러소자의 내압을 같게할 필요가 없으며, 내압 수백V의 바이폴러트랜지스터와 동일한 전유정격을 유지했을 경우 턴오프시간이 수분지 1로 현저히 개선된다.

IGBT는 그 구조가 MOS사이리스터의 구조를 기본으로 하고 있으나, 사이리 스터의 래치업을 억제한 점이 MOS사이리스터와 다르다.