일 후지쯔, 일본에 반도체개발거점 신설

일본 후지쯔가 자국내에 새 반도체개발거점을 설치한다고 "일본경제신문" 이최근 보도했다.

이에 따르면 후지쯔는 지난 22일 아쯔키연구소、 가와사키공장、 미에공장등 3군데에 분산되어 있는 일본내 반도체개발.설계부문을 한군데로 집약、 경비절감 및 효율화를 꾀하기 위해 도쿄도 아키가와시에 반도체개발센터를신설한다고 발표했다.

반도체개발.설계부문을 아키가와에 집약함에 따라 아쯔키연구소는 소재 등의기초연구 가와사키공장은 컴퓨터.통신기기 제조로 특화시킨다. 주로 반도체 시제품제작을 맡아 온 미에공장은 본격적인 양산거점으로 전환시킬 예정이다. 오는 97년에 업무를 개시하게 될 새 반도체개발센터에서는 선폭 0.18미크 론이하의 초미세가공기술을 도입、 2000년이후 실용화되는 1GD램 등 21세기 를겨냥한 최첨단제품의 개발.설계 및 시제품제작을 추진할 방침이다. 새 개발센터에 대한 투자는 2단계로 나눠 실시할 계획이며 우선 1단계로 부지구입 자금을 제외하고 약 7백30억엔을 투입할 예정이다. 개발동과 부속건물은 내년 3월에 착공、 97년 9월 완공을 목표로 하고 있다. 다음단계투자는 아직 구체적인 계획이 확정되지 않았지만 이에 따른 조업개시 시기는 오는 2002년 으로 예정하고 있다. <신기성 기자>