삼성전자, 전력용 반도체 IGBT 국산화

삼성전자(대표 김광호)가 그동안 거의 대부분을 수입해온 전력용 반도체 IGB T의 국산화에 성공했다고 27일 밝혔다.

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)는 외부에서 전송되는 전기를 실제사용전압에 맞도록 전압을 조절해주는 핵심부품인데 이번에 삼성이 10억원을 들여 개발한 제품은 사용전류가 10~3백A까지의 11개 종류로 외부의 전기를 6백V까지 받아 안정적으로 소화할 수 있으며 스위칭 속도가 빠르고 절전효과 가 높은 게 특징이다.

그동안 인버터、 고속 엘리베이터 등 대전력이 요구되는 중대형 사업장에서 많이 사용됐던 IGBT는 최근 그린화및 절전화 추세로 에어컨 냉장고 세탁기 등 민생용 가전제품 등에까지 채용범위가 확대되고 있다. 이 제품은 개당 가격이 2백달러선(3백A 기준)에 이르는 등 부가가치가 높은데도 불구、 국산화가 미미해 수입에 거의 의존해왔는데 삼성은 이 제품의 개발로 연간 1천억원 이상의 수입대체 효과를 거둘 수 있을 것으로 기대하고있다.

삼성은 이번 개발을 기반으로 내년까지 1천2백 및 1천5백V급 대용량 제품의 개발 및 상품화를 통해 내수는 물론 연간 6억달러 규모로 추정되는 세계 IGB T시장에도 본격 참여할 계획이다. <김경묵 기자>