일 NEC, 0.07미크론 CMOS 개발 성공

일본 NEC가 0.07미크론 상보성금속산화막반도체(CMOS)의 개발에 성공했다고 일본 "전파신문"이 최근 보도했다.

이에 따르면 NEC는 16GD램이나 GHz작동 프로세서의 실현을 가능케 하는 0.07 미크론 CMOS의 개발에 성공하고 전원전압 1.5V、 저스탠바이전류에서 지연시간 19.7피코초의 초고속작동을 확인했다고 지난 5일 발표했다.

이론적으로 CMOS는 0.01~0.02미크론까지의 미세화가 가능한데 현실적으로는1 미크론이하가 되면 기생용량.저항의 증대라는 문제가 발생한다.

그러나 NEC는 이번 개발에서 고상확산법(pMOS)에 의한 소스 드레인접합 등을 이용 단채널효과를 억제했으며 또한 게이트전극에 텅스텐폴리사이드 등을이용 기생저항.용량을 낮추는데 성공했다. <신기성 기자>