삼성전자가 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 공략에 속도를 내고 있습니다.
삼성전자는 세계 최초로 차세대 AI 가속기에 사용될 'HBM4E 12단' 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다고 29일 밝혔습니다.
HBM은 AI 반도체에 필요한 데이터를 빠르게 처리할 수 있도록 돕는 고성능 메모리입니다. 특히 생성형 AI와 대규모 언어 모델(LLM) 확산으로 수요가 빠르게 늘고 있습니다.
삼성전자는 지난 2월 업계 최고 속도의 HBM4 양산에 성공한 데 이어, 수개월 만에 차세대 제품인 HBM4E 공급까지 시작하며 AI 메모리 시장 경쟁력을 강화하고 있습니다.
이번 HBM4E는 설계와 공정 최적화를 통해 성능을 크게 높인 것이 특징입니다.
데이터 전송 속도는 핀당 최대 16Gbps까지 지원해 기존 HBM4보다 20% 이상 빨라졌습니다.
단일 스택 기준 초당 3.6TB의 대역폭도 제공해 대규모 AI 연산 처리 속도를 높였습니다.
용량 역시 개선됐습니다. HBM4E 12단 제품은 48GB 용량을 지원하며, 이전 제품보다 저장 용량을 30% 이상 늘렸습니다. 삼성전자는 앞으로 32GB와 64GB 제품까지 라인업을 확대할 계획입니다.
삼성전자는 이번 제품에 10나노급 6세대 D램과 자체 4나노 로직 다이를 적용해 성능과 양산 효율을 함께 높였다고 설명했습니다.
여기에 저전력 설계와 패키징 구조 최적화 기술까지 더해 에너지 효율은 16%, 열 저항 성능은 14% 이상 개선했다고 밝혔습니다.
고성능 AI 연산 과정에서 발생하는 발열 문제를 줄여 제품 안정성과 데이터센터 전력 효율 향상에도 도움이 될 것으로 기대됩니다.
삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 본격적인 양산 공급에 나설 예정입니다.
메모리와 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징까지 모두 아우르는 '원스톱 턴키 솔루션'을 바탕으로 AI 반도체 공급 경쟁력을 강화해 나간다는 계획입니다.
최성훈 기자 csh87@etnews.com
