검찰이 삼성전자와 SK하이닉스의 반도체 기술을 중국으로 유출한 삼성전자 전직 임직원 등 10명을 재판에 넘겼다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(김윤용 부장검사)는 삼성전자 출신 A씨 등 5명을 부정경쟁방지법 위반(영업비밀국외누설 등) 및 산업기술보호법 위반(국가핵심기술국외누설 등) 혐의로 구속기소했다고 23일 밝혔다.
중국 창신메모리(CXMT) 직원 등 5명도 같은 혐의로 불구속기소됐다. CXMT는 D램을 생산하는 중국 메모리 반도체 기업이다.
검찰에 따르면 A씨는 CXMT 개발실장으로 이직하면서 10나노미터(㎚)대 D램 공정 기술을 확보하기 위해 핵심 인력을 영입했다.
삼성전자 연구원인 B씨는 핵심 공정 정보를 중국으로 넘겼고, CXMT는 협력 업체를 통해 SK하이닉스 반도체 기술까지 확보한 것으로 파악됐다.
검찰은 CXMT가 한국 반도체 기술을 기반으로 2023년 중국 최초 10㎚대 D램 양산에 성공했다며 삼성전자의 손해 규모는 지난해 매출 감소액 기준 약 5조원이라고 추정했다. 향후 국가 경제에 발생하는 피해액은 수십조원 수준에 달할 것으로 예상했다.
서울중앙지검은 “국내는 물론, 중국 현지에서 이뤄진 개발 범행의 전모를 밝혀 처벌했다”며 “앞으로도 국가 경제와 기술 안보를 위협하는 산업 기술의 국외 유출 범죄에 엄정 대응하겠다”고 밝혔다.
이호길 기자 eagles@etnews.com
