램리서치가 반도체 절연체 증착 장비로 고대역폭메모리(HBM) 하이브리드 본딩 시장을 공략한다. 첨단 패키징에서 발생하는 빈 공간을 메우는 기술로 현재 시스템 반도체 패키징에 주로 사용되고 있으나 차세대 HBM에도 적용을 자신했다.
치핑 리 램리서치 글로벌 첨단 패키징 기술 총괄은 14일 간담회를 갖고 “'벡터 테오스 3D'는 첨단 패키징에서 칩 사이의 공극을 메우는 데 필요한 증착 장비”라며 “시스템반도체 첨단 패키징뿐만 아니라 HBM 하이브리드 본딩에서도 사용될 수 있다”고 말했다.
램리서치는 구체적 고객사를 밝히진 않았지만 이미 메모리 제조사에 장비를 공급했다면서 차세대 HBM의 하이브리드 본딩에서 활용 가능성을 시사했다.
벡터 테오스 3D는 전구체인 테오스로 절연체 역할을 하는 산화막을 증착하는 장비다. 여러 반도체를 함께 집적할 때 발생하는 칩 간의 공극이나 단차를 메우는 데 사용된다. 반도체 패키지 내 빈 공간은 전기적 불량을 유발하거나 기계적 결함으로 이어질 수 있기 때문이다.
이 기술은 이미 2.xD 첨단 패키징에서 사용되는데 램리서치는 하이브리드 본딩에서의 활용도가 클 것이라고 예상했다. 기술적 특성상 TC본딩에서 유기재였던 절연체가 하이브리드 본딩에서 무기재로 바뀌기 때문에 테오스 수요가 커질 것이라는 해석이다.
HBM은 D램을 수직으로 쌓아 만든 고성능 AI 메모리다. TC 본딩에서는 칩을 솔더볼로 연결해왔다. 하지만 하이브리드 본딩에서는 HBM 성능 향상을 위해 솔더볼을 없애고 각 칩에 구리 패드를 직접 형성해 맞닿게 한다. 이때 수많은 구리 패드 사이의 공간은 절연체로 메워야 해 벡터 테오스 3D 수요가 있을 것이라는 전망이다.
리 총괄은 “장비는 이미 메모리 반도체 제조공장에도 설치돼 좋은 성과를 내고 있다”며 “이전 세대보다 70% 더 빠른 속도의 증착 성능은 20%의 비용 절감으로 이어질 수 있다”고 강조했다.
박진형 기자 jin@etnews.com
