업계 최저 RDS(ON)*Qg및 RDS(ON)*Co(er) 성능 지표(FOM) 달성
Superjunction기술 기반으로 고전력 밀도 구현, 전도 및 스위칭 손실 감소로 효율성 극대화
Vishay는 텔레콤, 산업, 컴퓨팅 애플리케이션용 Gen 4.5 650V E 시리즈 파워 MOSFET신제품을 발표했다. Vishay Siliconix의 n-채널 SiHK050N65E는 기존 대비, 온저항(RDS(ON)) 48.2% 감소, 전력 변환용 650V MOSFET의 핵심 지표인 온저항 × 게이트 전하(RDS(ON)*Qg) 65.4% 개선을 달성했다고 밝혔다.
Vishay의 MOSFET 기술은 최신 첨단 장비의 전원 공급에 필요한 고전압 입력부터 저전압 출력까지 전력 변환 전 단계를 지원한다. 본 제품은 시스템 아키텍쳐의 첫번째 단계인 역률 보정(PFC) 및 후속 DC/DC 컨버터블록의 효율성과 전력밀도 향상을 위해 설계되었으며, 주요 적용 분야는 △서버, 엣지 컴퓨팅, 슈퍼컴퓨터 △무정전 전원 공급장치(UPS) △고강도 방전(HID) 램프 및 형광등 안정기 △태양광 인버터, 용접 장비, 유도 가열 시스템 △모터 드라이브 및 배터리 충전기가 있다.
SiHK050N65E는0.048Ω(10V 기준)의 초저온저항으로 6kW 이상 고출력 애플리케이션을 지원하며 650V 내전압으로 200VAC~277VAC 입력 전압 전안 및OCP(Open Computer Rack) V3(ORV3) 표준을 충족한다. 78nC의 초저 게이트 전하의 결과로 3.74Ω*nC의 FOM 달성하여 전도와 스위칭 손실을 줄여 에너지를 절약하고 효율성을 높이며 서버 전원 장치의 티타늄 효율 기준 충족 및 96% 피크 효율을 구현한다. 그뿐만 아니라 PFC와 2-switch Forward 설계와 같은 하드 스위칭 토폴로지에서 스위칭 성능을 향상시키기 위해 167 pF와 1119 pF의 낮은 유효 출력 커패시턴스 Co(er)와 Co(tr)를 제공한다. 이 장치의 저항 X Co(er) FOM은 업계 최저 수준인 8.0Ω*pF이다.
-PowerPAK® 10×12 패키지 적용했으며 켈빈 연결로 게이트 노이즈를 감소시킨다. dV/dT 내성 강화 및 100% UIS 테스트 통과한 과전압 트랜지언트 내구성을 보장하며 RoHS 준수, 할로겐 프리, Moisture Sensitivity Level(MSL) 1이다.
한편, Vishay의 Gen 4.5 650V E 시리즈 파워 MOSFET은 샘플 및 양산 제품 즉시 제공 가능하며 리드 타임 문의는 지역 영업 사무소에서 하면 된다.
유은정 기자 judy6956@etnews.com
