일본 반도체 위탁생산(파운드리) 기업인 래피더스가 2나노미터(㎚) 공정을 위한 설계자산(IP)을 확보했다. 반도체 성능 개선을 위한 '후면전력공급장치(BSPDN)'도 개발, 삼성전자·인텔·TSMC와 차세대 기술 경쟁을 펼칠 전망이다.
래피더스는 세계 1·2위 반도체 IP 및 설계자동화(EDA) 기업인 시높시스와 케이던스로부터 대규모 EDA 솔루션 및 IP를 공급받기로 했다. 래피더스의 2㎚ 공정 및 후면전력공급장치 개발을 지원하기 위해서다. 래피더스가 후면전력공급장치 개발 계획을 공개한 건 처음이다.
반도체 개발에 꼭 필요한 IP는 설계 뿐 아니라 파운드리 공정에도 최적화(포팅)돼야 안정적 양산으로 이어질 수 있다. 고객(팹리스)이 필요한 IP를 파운드리 업체서도 사전 확보해야하는 이유다. 래피더스와 시높시스·케이던스 협력은 2㎚ 공정에 필요한 다양한 반도체 IP를 활용하기 위한 포석으로, 2027년 파운드리 양산 목표를 실현하기 위한 작업으로 풀이된다.
협력에는 후면전력공급장치 개발도 포함돼 주목된다. 후면전력공급장치는 반도체에 전기를 공급하는 배선층을 웨이퍼 뒷면에 배치하는 기술로, 데이터를 주고 받는 회로에 영향을 주지 않아 반도체 성능을 개선하고 전력 효율을 높일 수 있다.
여러 강점으로 삼성전자·인텔·TSMC 등 파운드리가 이 기술을 개발하고 있다. 삼성은 2027년 개발을 목표로, 향후 2㎚ 공정에 적용할 계획이다. 인텔은 2025년, TSMC는 2026년 후면전력공급이 가능한 반도체 양산을 계획하는 것으로 알려졌다. 여기에 래피더스까지 가세, 차세대 반도체 기술 주도권을 둔 치열한 경쟁 양상이 예상된다.
아츠요시 코이케 래피더스 CEO는 “2nm 후면전력공급장치 기술에 대한 케이던스와의 협력은 래피더스를 업계 선두에 올려 놓으며 성능과 효율성을 높인 반도체 혁신에 큰 도약을 보여줄 것”이라고 밝혔다.
권동준 기자 djkwon@etnews.com
