루시드마이크로시스템즈가 질화갈륨(GaN) 반도체를 개발, 인공지능(AI) 인프라 시장을 공략한다. 회사는 GaN 전력 솔루션 및 전력관리반도체(PMIC)를 개발하는 팹리스로, 고효율·고성능 GaN 기술을 보유하고 있다.
최근 AI 발전으로 중앙처리장치(CPU)·그래픽처리장치(GPU) 전력 소비도 크게 늘고 있다. 적절한 전력 제어 및 관리를 위해서는 전력 반도체가 필요하지만 기존 실리콘(Si) 기반 반도체는 크기와 발열 관리에 제약이 뒤따랐다.
루시드마이크로시스템즈는 이같은 문제를 해결하기 위해 GaN 전력 반도체를 상용화했다. GaN은 대표적인 화합물반도체로, 실리콘과 견줘 고전압·고내열 특성 덕분에 차세대 전력 반도체로 주목받고 있다. 지금까지 패키징 기술로 GaN을 적용하려는 시도는 있었지만 루시드마이크로시스템즈는 반도체 내 GaN을 집적해 성능을 보다 극대화했다.
회사는 GaN 전력 반도체를 통해 효율적인 AI 서버 전압과 발열 관리가 이뤄질 것으로 내다봤다. 특히 GaN 반도체는 기존 실리콘 전력 반도체보다 소형화가 가능해 서버 내 공간 확보에도 유리할 것으로 기대했다.
AI 서버 외 스마트폰이나 전기차에도 적용할 수 있는 만큼 GaN 전력 반도체 수요는 지속 확대될 것이라고 회사는 부연했다. 루시드마이크로시스템즈는 현재 고객사와 제품 성능 평가를 진행하고 있다. 테스트가 완료되는 내년 본격 양산에 돌입할 계획이다.
[이기선 루시드마이크로시스템즈 대표]
“AI 분야 전력 관리 효율성을 위해서는 GaN 전력 반도체 기술 확보가 필수입니다.”
이기선 루시드마이크로시스템즈 대표는 GaN을 기반에 둔 안정적 반도체 공급망을 신속히 구축해야한다고 강조했다. 미국·중국·대만 등 국가에서 전력 반도체 산업이 급격히 성장하는만큼 GaN 신기술을 통한 차별화 전략이 필요하다는 것이다. 이 대표가 회사를 창업한 이유이기도 하다.
그는 특히 AI 시대에 대한 대비가 필요하다고 지적했다. AI는 막대한 전력을 필요하는 만큼 이를 효율적으로 제어·관리하려는 수요가 급증할 것이라고 부연했다. 전력 반도체가 기존 실리콘에서 GaN으로 대전환이 이뤄지는 배경이다.
이 대표는 인텔·NXP·온세미 등 글로벌 반도체 기업에서 전력 솔루션을 구현했던 전문성을 앞세워 차세대 GaN 기술 확보에 계속 매진하겠다고 포부를 밝혔다. 이를 통해 글로벌 GaN 반도체 기업으로 도약하는 것이 목표다. 그는 “GaN 신기술로 전력 반도체 분야 세계 정상급 기업으로 성장하겠다”고 덧붙였다.
※[미래 반도체 스타] 시리즈는 중소벤처기업부 '초격차 스타트업 1000+ 프로젝트' 사업 일환으로 서울대학교와 함께 진행한다.
권동준 기자 djkwon@etnews.com
