삼성전자가 내년 개발 완료를 목표로 HBM4 16단 제품을 준비하고 있다고 밝혔다.
윤재윤 삼성전자 D램 개발실 상무는 자사 홈페이지를 통해 “고온 열 특성에 최적화된 '비전도성 접착 필름(NCF)' 조립 기술과 최첨단 공정 기술을 통해 차세대 HBM4에 16단 기술을 도입할 계획”이라며 이 같이 밝혔다. 윤 상무는 “HBM은 열 관리가 중요한 데 열압착(TC)-NCF 기술은 열 방출 측면에서 독보적인 경쟁력을 갖고 있다”고 강조했다.
HBM은 D램을 수직으로 쌓아 실리콘관통전극(TSV)으로 연결, 대역폭을 획기적으로 늘린 제품이다. 빠른 연산이 필요한 인공지능(AI) 반도체를 중심으로 수요가 크게 늘고 있다. 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 정한 두께 내에서 적층하는 D램을 늘려야 해 휨어짐이나 깨지는 현상에 따른 기술적 어려움이 있으나, 고대역·고용량 제품을 만들 수 있다.
삼성전자는 지난 2월 HBM3E 12단 제품 개발한 데 이어 HBM4에서 16단 제품을 선보인다는 계획을 세웠다. 8, 12, 16단 3개 선택지를 고객에게 제공할 방침이다.
삼성전자는 하반기 양산이 예상되는 HBM3E 12단 제품에 대해서도 강한 자신감을 나타냈다.
김경륜 삼성전자 메모리 상품기획실 상무는 “36Gb HBM3E 12단 D램에 대한 고객 기대가 매우 높다”며 “용량이 현재 시장 주요 제품인 16Gb HBM3 8단 대비 2.25배 커 상용화되면 빠른 속도로 주류 시장을 대체해 나갈 것”이라고 말했다. 이어 “기존보다 더 적은 AI 서버로도 동일한 초거대 언어 모델(LLM)을 서비스할 수 있어 고객은 총 소유 비용(TCO) 절감 효과를 누릴 수 있다”고 강조했다.
박진형 기자 jin@etnews.com
