시지트로닉스가 상장 후 마련한 자금으로 질화갈륨(GaN) 전력 및 무선주파수(RF) 반도체 증설 투자를 확대한다.
시지트로닉스는 18일 코스닥 상장 기자간담회를 갖고 이같은 내용의 사업 계획을 밝혔다. 시지트로닉스는 신소자 설계 기술, 에피성장 미세접합 기술, 제조공정 기술 등을 활용해 정전기방지(ESD)소자, 센서소자, 파워소자 등을 개발 생산하는 특화반도체 전문 기업이다.
회사는 다음달 3일 코스닥 입성 예정이다. 공모 주식은 총 90주며, 총 공모금액은 162억원~180억원이다. 18일부터 이틀간 기관 수요예측을 통해 공모가를 확정한다.
심규환 시지트로닉스 대표는 “코스닥 상장을 통해 확보한 160억원의 자금은 GaN 전력·RF 반도체 양산 시설을 확보하기 위해 투자할 것”이라면서 “다른 경로로 확보한 160억원을 포함해 320억원을 투자해 2025년 웨이퍼 월 1000장을 양산하는 게 목표”라고 밝혔다.
GaN은 갈륨과 질소의 화합물로 기존 실리콘(Si) 대비 내구성이 좋고 고온에 강하다는 특징이 있어 차세대 전력 반도체 소재로 주목받고 있다. 고온·고전압에 내구성이 높고, 전력 효율이 우수하다는 장점이 있다. 삼성전자가 지난달 실리콘밸리에서 개최된 '파운드리 포럼'에서 2025년 8인치 웨이퍼 GaN 전력반도체 파운드리 서비스를 하겠다고 해 화제가 된 바 있다.
시지트로닉스는 내년 하반기부터 GaN 전력과 RF 반도체를 본격 양산, 매출 비중을 향후 30%까지 끌어올린다는 목표를 제시했다. GaN 전력 분야는 6인치 GaN온실리콘(GaN-on-Si), GaN온탄화규소(GaN-on-SiC) 기판을 이용한 소자를 양산할 방침이다. 라이다와 초고속 충전기 시장을 정조준한다.
RF 반도체는 이동통신 및 군 레이더 시스템 분야에 공급할 계획이다. 현재 300와트(W)급까지 기술을 확보해, 테스트 단계에 있다.
시지트로닉스는 지난해 145억원의 매출을 기록했다. 주로 ESD 칩 사업을 해왔지만 최근에는 라이다 센서인 애벌런치 포토다이오드(APD), 웨어러블용 센서 브로드밴드 포토다이오드(BB-PD)를 국산화해 8월부터 양산에 들어간다.
김영호 기자 lloydmind@etnews.com
