어플라이드머티어리얼즈가 반도체 공정 개발 속도 향상과 수율 확대를 지원하는 전자빔 계측 시스템 '베리티SEM 10'을 공개했다.
신제품은 스캔 속도가 30% 빨라진 것이 특징이다. 최근 극자외선(EUV) 공정에서 포토레지스트 두께가 점차 얇아지면서 반도체 디바이스 소자 패턴 거리 측정도 어려워지고 있다. 빛 집광능력을 나타내는 렌즈 개구수(NA)를 0.33에서 0.55로 상향한 하이 NA EUV는 EUV 장비보다 미세한 반도체 회로를 그려내 패턴 거리 측정이 더 어렵다.
어플라이드는 기존 패턴 거리 측정 주사전자현미경(SEM) 대비 두 배 높은 분해능을 가능하게 하도록 시스템을 설계했다고 설명했다.
또 신제품은 EUV, 하이 NA EUV 리소그래피 공정과 식각 공정 정확도를 높여 서브 나노미터 단위 측정을 지원한다.
아울러 트랜지스터 성능 핵심 공정을 계측·식별할 수 있고, 스캐닝 범위도 세 배 확대, 3D 낸드 메모리의 모든 계단식 상호 연결 구조를 계측하고 식각 공정 레시피 조정도 돕는다.
어플라이드 관계자는 “베리티SEM 10은 1나노미터(㎚) 이하 고분해능을 가져 이미징 구현에 탁월하다”며 “고객사 패턴 사이즈를 정확히 맞춰 계측을 지원할 수 있다”고 말했다.
박종진기자 truth@etnews.com
